TU0 是無氧銅家族中純度與軟態(tài)特性最優(yōu)的牌號，成分嚴格控制為銅含量≥99.99%、氧含量≤0.003%，雜質總含量≤0.01%，其中鉍≤0.0005%、鉛≤0.001%（極致控制有害雜質，避免影響軟態(tài)與導電性）。其核心性能定位是 “極低氧 + 超高純 + 極致軟態(tài)”，室溫抗拉強度 190-230MPa，導電率≥99% IACS，延伸率 48%-53%，布氏硬度 32-42HB，是超導電纜、真空鍍膜靶材、高精度傳感器等對純度與氧含量有苛刻要求場景的核心材料。

極低氧超高純機制是 TU0 的獨特優(yōu)勢。氧含量≤0.003% 意味著合金中幾乎無氧化夾雜（如 Cu?O），這些夾雜會阻礙自由電子運動并降低塑性，因此 TU0 的導電率接近純銅理論極限（100% IACS），20℃時電阻率僅 1.56×10??Ω?m，比 TP2（1.7×10??Ω?m）低 8%。某超導研究機構的 TU0 超導電纜基體，在低溫（-269℃）環(huán)境下，電流傳輸損耗≤0.001%，為超導實驗提供穩(wěn)定的電流載體。同時，極低氧使 TU0 具備極致軟態(tài)，延伸率超 48%，冷態(tài)變形量可達 95%，某真空鍍膜廠的 TU0 鍍膜靶材（直徑 300mm、厚度 50mm），經(jīng)冷壓成型后密度達 99.9%，無內部孔隙，鍍膜時靶材蒸發(fā)均勻，薄膜厚度偏差≤5nm，遠優(yōu)于低純度無氧銅靶材。

耐蝕性因超高純度與低氧顯著提升，在干燥大氣中，TU0 表面形成的 Cu?O 氧化膜極薄（1-1.5μm）且致密，年腐蝕速率僅 0.005mm，是 TP2 的 1/2；在真空環(huán)境中，無氧化揮發(fā)風險，某半導體設備的 TU0 電極，在 10??Pa 真空下使用 8 年，表面無任何氧化痕跡，導電性能無衰減。

加工工藝需全程控氧與防雜質，采用真空感應爐熔煉（真空度≤10??Pa），原材料為 99.999% 的超高純電解銅，熔煉溫度 1085-1100℃，全程無空氣接觸，避免氧與雜質混入。熱加工溫度 790-840℃，此時 TU0 塑性達峰值（伸長率≥53%），單道次鍛造變形量 65%，適合制作大型靶材毛坯；冷加工以冷軋、冷壓為主，道次變形量 20%-25%，無需中間退火（軟態(tài)特性不易硬化），某精密傳感器廠的 TU0 彈性元件（厚度 0.05mm），經(jīng)冷軋后平面度誤差≤0.001mm，滿足傳感器的高精度形變要求。焊接采用真空電子束焊，避免空氣介入導致氧化，接頭純度與母材一致，某超導電纜的 TU0 焊接接頭，低溫下電流傳輸效率達 99.9%，無損耗。

應用場景集中在高端精密領域，除超導電纜、真空鍍膜靶材外，還用于標準電池電極、量子通信器件導電部件等。在某量子計算機項目中，TU0 制成的信號傳輸線，因極低氧與高純度，信號延遲≤1ns，為量子比特的穩(wěn)定通信提供保障，充分彰顯 “極低氧 + 超高純軟態(tài)” 的核心價值。